Trong bài báo này, chúng tôi sử dụn

Trong bài báo này, chúng tôi sử dụng công nghệ Power gating để giảm công suất tiêu thụ trên SRAM Cell trong công nghệ 45nm. Chúng tôi đã so sánh dòng rò ở điều kiện bình thường, giảm VM, tăng VSL, giảm VM cùng lúc với tăng VSL trong các trường hợp dòng cung cấp 1V, 1.2V, 1.4V và trường hợp dòng cung cấp 1.2 ở các điều kiện nhiệt độ -27oC, 0oC, 27oC, 100oC. Kết quả đạt được là việc giảm VM và tăng VSL với điện áp cung cấp 1V là tối ưu nhất.
Và tuỳ theo các ứng dụng mà ta sẽ chọn các kỹ thuật của công nghệ Power geting cho phù hợp. Ví dụ như ở các ứng dụng SRAM sử dụng trong các thiết bị với nguồn cung cấp hạn chế (pin thường, pin năng lượng mặt trời...) mà không cần tốc độ đáp ứng cao (di động,các sensor...) thì ta có nên dùng kỹ thuật tối ưu nhất là dùng cả giảm VM và tăng VSL. Còn nếu như ở các thiết bị trên cần thêm tốc độ xử lý (như smarphone, các node xử lý thông tin tập trung của sensor...) thì ta có thể dùng kỹ thuật giảm VM hay tăng VSL (đối với tăng VSL thì không khuyên dùng vì tiêu tốn năng lượng cao). Nhưng đối với các ứng dụng khác của SRAM như trong các PC để bàn, các thiết bị xử lý có nguồn cung cấp trực tiếp (module wifi, hub, switch, các thiết bị cần tốc đọ đáp ứng cao) thì ta có thể dùng kỹ thuật tăng VSL.
Trong tương lai, chúng tôi có thể sẽ nghiên cứu kĩ hơn về delay của các kỹ thuật trong công nghệ 45nm, cùng với tìm hiểu sâu hơn về các yếu tớ ảnh hưởng đến SRAM Cell, tìm hiểu các kỹ thuật giảm công suất tiêu thụ khác, các công nghệ nhỏ hơn 45nm,…

Kết quả (Anh) 1:

In this paper, we use Power gating technology to reduce power consumption on the SRAM Cell in 45nm technology. We have compared the correlation line in normal conditions, reduce the VM, the VM at the same time, reduce the VSL increases with increase VSL in the case line provides 1.2 V, V 1.4, 1V and the case of the line provided 1.2 in the temperature conditions-21, plummeting, 21, 100oC. The result achieved is the reduction of the VM and increase VSL with the voltage supply 1V is optimized for.And depending on the application that we will choose the techniques of technology Power geting to match. For example, in applications that use SRAM in devices with limited power supply (battery, solar battery, ...) without a high response rate (mobile, the sensor ...), we should use the best technique is to use both decrease and increase VM VSL. What if in the devices on need more processor speed (like smarphone, the node information processing of the sensor ...) then we can use the technique reduced or increased VM VSL (for increase VSL is not recommended because of the high energy-consuming). But for other applications of the SRAM as in the desktop PC, the devices handle supply directly (wifi module, hub, switch, the device need fast response), we can use the technique increased the VSL.In the future, we will further research about the delay of the technique in the 45nm technology, along with a deeper understanding about the weak I affect SRAM Cell, learn techniques to reduce power consumption, smaller 45nm technology, ...

Kết quả (Anh) 2:

In this paper, we use technology to reduce power gating Power consumption in 45nm SRAM Cell. We have compared the leakage current in normal conditions, reduce VM, increase the VSL, reduce VM simultaneously with increase in the case flow VSL provides 1V, 1.2V, 1.4V and 1.2 cases supply lines in the -27oC temperatures, 0 ° C, 27oC, 100oC. Achievements are reducing VM and increase VSL with 1V voltage supply is optimal.
And depending on the applications that are going to choose the specifications of Power geting technologies accordingly. For example, in SRAM applications used in devices with limited power supply (usually battery, solar cells ...) without the need for high speed response (mobile, sensors ... ) then we should use optimization techniques is to use both reduced and increased VSL VM. If as in the equipment on the need to add speed processors (such as smartphones, the information processing node concentration sensor ...), we can use the technique reduced or increased VM VSL (VSL to increase the not recommended because of high energy-consuming). But for other applications of SRAM as in the desktop PC, the device can handle direct supply (wifi modules, hubs, switches, devices need a high speed of response), we can use increase VSL techniques.
In the future, we may be researched more about the technical delay in 45nm technology, along with a deeper understanding of the factors affecting the SRAM Cell, learn techniques other reduced power consumption, the smaller 45nm technology, ...