Khi chưa có phân cực (ở trạng thái

Khi chưa có phân cực (ở trạng thái cân bằng): Trước khi tiếp xúc, mỗi bán dẫn nằm ở trạng thái cân bằng: Tổng số điện tích dương bằng tổng số điện tích âm trong thể tích. Khi tiếp xúc nhau, do sự chênh lệch nồng độ sẽ xảy ra hiện tượng khuếch tán của các hạt dẫn đa số: Lỗ trống khuếch tán từ p sang n, còn điện tử khuuếch tán theo chiều ngược lại. Chúng tạo nên dòng khuếch tán có chiều từ p sang n. Trên đường khuếch tán, các điện tích khác dấu sẽ tái hợp với nhau, làm cho trong một vùng hẹp ở hai bên mặt ranh giới có nồng độ hạt dẫn giảm xuống thấp. Tại vùng này, bên vùng nghèo bán dẫn loại p tồn tại các phần tử thiểu số loại n (ion âm). Còn bên vùng nghèo loại n tồn tại các phần tử thiểu số loại p (lỗ trống), nghĩa là hình thành hai lớp điện tích không gian khác dấu đối diện nhau. Chúng bị lực hút của các ion trái dấu và lực đẩy của các ion cùng dấu, nên chúng được tồn tại trong vùng nghèo như hình 1-6a. Giữa hai lớp điện tích này sẽ có một sự chênh lệch điện thế (bên n dương hơn bên p), gọi là điện thế tiếp xúc

Kết quả (Anh) 1:

When no polarization (in equilibrium): before exposure, every Semiconductor is in equilibrium: total positive total negative charge equal in volume. When exposed to each other, due to the difference in the concentration of the diffusing phenomenon happens of the grain led the majority: openings diffuse from p to n, longer canopy khuuếch electronic direction. They make up the diffuser line is from p to n. On the diffuser, the other charge will reunite with each other, make in a narrow zone on either side of the boundary surface has led particle concentrations drop to low. In this region, on semiconductor p-poor region exists the minority element type n (negative ions). But the poor type n exist the minority element type p (hole), i.e. formed two other space charge layer opposite sign. They were forces of the left and ions of the same ions seal, should they exist in poor regions like Figure 1-6a. Between the two layers of this charge will have a voltage difference (far more positive side n p), called electric potential exposure

Kết quả (Anh) 2:

When no polarization (in equilibrium): Before exposure, each transistor is in equilibrium: The sum of the positively charged by negative charges in total volume. When exposed to another, due to the concentration difference will occur resulting diffusion of particles majority: empty hole to diffuse from p n, e khuuech also spread in the opposite direction. They create dimensional diffusion line from p to n. On the way diffuser, the other charge would mark a reunion together, making for a narrow region on either side of the boundary surface particle concentrations fell below the guide. In this region, the p-type semiconductor poor areas exist the minority element n-type (negative ions). And the poor areas exist n-minority elements p (hole), that is formed of two layers of space charge sign opposite each other. We were the attraction of opposite ions and the ion thrust of the same sign, they exist in poor areas like 1-6a. Between two layers of this charge will have a potential difference (the more positive side n p), called contact voltage